Reklama

Samsung a nové DDR3 čipy

V polovině loňského roku představila společnost Samsung své první paměťové čipy vyráběné 40nm procesem a datové hustotě 2Gb (Gigabity) na jeden čip. Nyní výrobce oznamuje začátek masové výroby „větších“, 4Gb čipů. Samsung je tak schopen vyrábět moduly o kapacitě až 32 GB a 16GB moduly se spotřebou nižší až o 35 % oproti svým předchůdcům. Rovněž přišel s tvrzením, že čipy vyráběné 40nm procesem budou tvořit až 90 % celkové produkce všech DDR DRAM čipů společnosti.

Nové čipy jsou schopny pracovat při napětí 1,5 i 1,35 voltu, což odpovídá standardům JEDEC DD3 resp. DDR3L. Samsung upozorňuje hlavně na nízkou spotřebu modulů osazených 4Gb čipy a demonstruje jí na příkladu z oblasti serverů. Spotřeba šesti RDIMM (Registered DIMM) modulů o celkové kapacitě 96 GB s 1Gb čipy DDR2 na 60nm činí podle Samsungu 210 W. Totožný počet modulů o stejné kapacitě ale s 40nm 2Gb DDR3 čipy potřebuje 55 W a s novými 40nm 4Gb DDR3 čipy údajně jen 36 W. Nové čipy tedy v tomto srovnání snižují celkovou spotřebu modulů až o 83 %.

Reklama

Společnost už zařadila do své nabídky 32GB a 16GB RDIMM moduly pro servery společně s notebookovými SODIMM moduly o kapacitě 8 GB.

Zdroj: Samsung

Tagy:

Komentáře

Re: Samsung a nové DDR3 čipy

Mozna trosku pozde, ale:

Netusi nekdo, proc je vyobrazenem PCB osazeno 16+2 pametovych cipu? K cemu se pozivaji ty dva navic? Jsou ty moduly R/FB-DIMMy, kde ty dva navic znamenaji redundanci pro failover na urovni samotneho pametoveho modulu (coz by byla docela novinka) ci nejakou formou cache pro AMB?

Ja se domnivam, ze se jedna o redundantni cipy a kontroler v pripade, ze pri komunikaci s jednim z cipu detekuje zvysenou chybovost, tento cip odstavi a pouzije jeden ze zaloznich.

To by v pripade serveroveho nasazeni znamenalo prodlouzeni typickeho time-to-service intervalu, coz je u 16GB modulu (a jejich pravdepodobneho nasazeni do highend SQL/ESX systemu) vitana feature.

Umi nekdo potvrdit/vyvratit? ;)