Samsung a nové DDR3 čipy
V polovině loňského roku představila společnost Samsung své první paměťové čipy vyráběné 40nm procesem a datové hustotě 2Gb (Gigabity) na jeden čip. Nyní výrobce oznamuje začátek masové výroby „větších“, 4Gb čipů. Samsung je tak schopen vyrábět moduly o kapacitě až 32 GB a 16GB moduly se spotřebou nižší až o 35 % oproti svým předchůdcům. Rovněž přišel s tvrzením, že čipy vyráběné 40nm procesem budou tvořit až 90 % celkové produkce všech DDR DRAM čipů společnosti.

Nové čipy jsou schopny pracovat při napětí 1,5 i 1,35 voltu, což odpovídá standardům JEDEC DD3 resp. DDR3L. Samsung upozorňuje hlavně na nízkou spotřebu modulů osazených 4Gb čipy a demonstruje jí na příkladu z oblasti serverů. Spotřeba šesti RDIMM (Registered DIMM) modulů o celkové kapacitě 96 GB s 1Gb čipy DDR2 na 60nm činí podle Samsungu 210 W. Totožný počet modulů o stejné kapacitě ale s 40nm 2Gb DDR3 čipy potřebuje 55 W a s novými 40nm 4Gb DDR3 čipy údajně jen 36 W. Nové čipy tedy v tomto srovnání snižují celkovou spotřebu modulů až o 83 %.
Společnost už zařadila do své nabídky 32GB a 16GB RDIMM moduly pro servery společně s notebookovými SODIMM moduly o kapacitě 8 GB.
Zdroj: Samsung
Cnews.cz
Novinky
-
24.05.2012 - 20:31
-
24.05.2012 - 16:45
-
24.05.2012 - 16:44
-
24.05.2012 - 08:00
-
24.05.2012 - 07:00
-
23.05.2012 - 14:00
-
23.05.2012 - 10:00
-
23.05.2012 - 00:00
-
22.05.2012 - 18:52
-
22.05.2012 - 11:14
-
22.05.2012 - 08:00
-
22.05.2012 - 07:00
-
21.05.2012 - 14:00
-
21.05.2012 - 11:06
-
21.05.2012 - 09:46
-
20.05.2012 - 17:11
-
18.05.2012 - 22:13
-
18.05.2012 - 18:30
-
18.05.2012 - 17:30
-
18.05.2012 - 11:47
Diskuzní fórum
Tiskové zprávy
Oblíbené články
Nejčtenější články
Nejdiskutovanější články
Poslední komentáře
- Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
5 hodin 8 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
6 hodin 22 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
6 hodin 54 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
7 hodin 3 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
7 hodin 1 min zpět - Re: Scythe Mugen 3 rev.B: keď lacnejší chladič nestačí
8 hodin 54 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
9 hodin 8 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
9 hodin 42 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
9 hodin 58 min zpět - Re: Ředitel AMD: výkonu je dost, budoucnost je ve ...
10 hodin 23 min zpět


Komentáře
Re: Samsung a nové DDR3 čipy
Mozna trosku pozde, ale:
Netusi nekdo, proc je vyobrazenem PCB osazeno 16+2 pametovych cipu? K cemu se pozivaji ty dva navic? Jsou ty moduly R/FB-DIMMy, kde ty dva navic znamenaji redundanci pro failover na urovni samotneho pametoveho modulu (coz by byla docela novinka) ci nejakou formou cache pro AMB?
Ja se domnivam, ze se jedna o redundantni cipy a kontroler v pripade, ze pri komunikaci s jednim z cipu detekuje zvysenou chybovost, tento cip odstavi a pouzije jeden ze zaloznich.
To by v pripade serveroveho nasazeni znamenalo prodlouzeni typickeho time-to-service intervalu, coz je u 16GB modulu (a jejich pravdepodobneho nasazeni do highend SQL/ESX systemu) vitana feature.
Umi nekdo potvrdit/vyvratit? ;)